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海博社 Hyboox
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@hyboox-2

内存未来想高速发展,比如说缺口到2030年,需要的是什么?

一个是容量能不能继续扩大
第二是带宽是不是要更大
三是二者并发

这是大家想的,真实的是都错了,

未来3年确定性的卡点,既不是"容量",也不是"带宽"本身,

而是两条路线共用的上游,也就是DRAM晶圆的前道产能(洁净室和晶圆投片)。

封装(CoWoS)是2026年的卡点,但它扩产更快、可替代的路线更多,到2028年大概率会先松下来。

带宽路线:HBM层数从12层往16层走,每颗GPU搭载的HBM颗数还在增加。业内一般估计,同样的比特量,HBM消耗的晶圆约是普通DRAM的三倍。

容量路线:上下文变长、推理用户变多,吃掉的是DDR5和LPDDR,也是同一批晶圆。

2027到2028年,存储晶圆供应每年只增长约12%,其中约一半给了HBM。

结果是普通DRAM的比特增长只有约15%,需求增长约22%,缺口是结构性的。

封装产能三年翻两番,还有多条替代路线;

DRAM晶圆每年只增长约12%,而且没有替代。

但下面两个条件可以让上面的逻辑全完蛋;

1、需求端失速:推理效率大幅提升,或者AI资本开支放缓
2、长鑫等国内厂扩产超预期:会先冲击普通DRAM的价格。短期很难切进HBM,不改变带宽路线的格局。

雅克科技最确定,然后是设备(中微、拓荆、北方华创)。理由是2027到2028年韩国新厂和长鑫扩产的时间表已经锁定,订单的兑现比价格更确定。

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